920134
CVD graphene on silicon wafer, R2R Monolayer largegrain
6 in diameter, avg. no. of layers, 1
Synonym(e):
Roll-to-Roll graphene
About This Item
Empfohlene Produkte
product name
R2R Monolayer large grain CVD graphene on silicon wafer, 6 in diameter, avg. no. of layers, 1
Qualitätsniveau
Beschreibung
Growth method: roll-to-roll CVD
Wafer: SiO2 (300nm) Si
Number of layer: Monolayer
Raman intensity 2D/G: ≥1.5
Leistungsmerkmale
avg. no. of layers 1
Schichtwiderstand
280 Ω/sq ±10%
Größe
110 μm × 110 μm ± 10%, grain size
Oberflächendeckung
surface coverage >98%
Durchlässigkeit
>97%
Halbleitereigenschaften
(mobility>3000 cm2/V·s) (Hall effect measurements)
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Allgemeine Beschreibung
Anwendung
The roll-to-roll process allows continuous, large scale graphene production.
This large grain size graphene product on silicon wafer is ready to use, helps you minimize process time, and increase success rate. This product with low sheet resistance would enable unmatched reproducibility and allow high performance for CVD graphene based FET, CVD graphene based sensors, and heterostructure based micro/nano electronics.
Application examples:
- Ultrafast Transistor
- Optical devices
- Bio/Gas Sensor
- Transparent Electrode
- Flexible Display
- Smart Coating
- Thermal management
Vorsicht
Keep away from contamination, heat, dust and flame etc.
Lagerung und Haltbarkeit
Rechtliche Hinweise
WGK
WGK 3
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